光伏组件的抗PID性能影响组件的发电效率和使用寿命，被光伏行业广泛关注。EVA胶

膜是光伏组件的主要封装材料之一，其具有优异的性价比，但随着光伏行业技术革新，对封装材料抗PID要求越来越高。实验两种不同配方改性的EVA胶膜与普通EVA胶膜进行抗PID性能比对。

样品制备

在普通EVA胶膜A的基础上，分别添加高阻助剂和离子捕捉剂制备B胶膜和C胶膜。

测试方法

按照国家标准测试EVA胶膜的交联度、透光率、剥离强度、体积电阻率、紫外和湿热黄变指数。

抗PID性能测试按照IEC标准进行，测试条件为85℃、85%相对湿度、-1000V电压下进行96小时测试，再继续测试300小时。

测试结果与分析

不同 EVA 胶膜的交联度

不同 EVA 胶膜的交联度

三种EVA胶膜的交联度均大于80%。B胶膜的交联度最高，因为高阻助剂增加了交联密度。

C胶膜的交联度与A胶膜接近，因为离子捕捉剂对交联度影响较小。

不同 EVA 胶膜的透光率

不同 EVA 胶膜的透光率

三种EVA胶膜的透光率均大于91%。A和B透光率接近92%，二者透光率相近；C胶膜的透光率最低。

透光率主要由树脂基本性能决定，添加助剂的纯度和种类也有影响。高阻助剂是无色有机活性液体助剂，对EVA胶膜透光率无影响，所以 A、B胶膜透光率接近；离子捕捉剂是无机金属阳离子混合物，含有的无机物会降低胶膜透光率。

不同 EVA 胶膜的体积电阻率

不同 EVA 胶膜的体积电阻率

B胶膜的体积电阻率最高，是A胶膜的4倍多，因为高阻助剂抑制了EVA水解，提高了交联度和绝缘性能。

C胶膜的体积电阻率是A胶膜的2倍多，离子捕捉剂通过离子交换减少了金属离子迁移，提高了绝缘性能。

不同 EVA 胶膜老化性能差异

不同 EVA 胶膜的耐老化性能

三种EVA胶膜的黄变指数均小于3，但改性后的B和C胶膜的老化性能优于A胶膜。

C胶膜的耐老化性能最佳，加入离子捕捉剂，能在不损害光学和电气绝缘性能的情况下，提高 EVA 胶膜封装的导热性和对基材的附着力，防止气体和水汽进入，提供防腐蚀保护，从而具备良好的耐老化性能。 

不同EVA胶膜抗PID性能

不同 EVA 胶膜的抗 PID 性能

96小时抗PID测试中，A胶膜的PID衰减接近10%，而B和C胶膜的PID衰减均小于2%，且B胶膜略优于C胶膜。

300小时抗PID测试中，B和C胶膜的PID衰减均未超过3%，且C胶膜的衰减变化最小。

B胶膜通过高交联度和高体积电阻率抑制PID效应；C胶膜通过离子捕捉剂减少金属离子迁移，表现出更稳定的抗PID性能。

研究结果表明，改性后的EVA胶膜在抗PID性能、交联度、体积电阻率、耐老化性能等方面均得到了显著提升。其中，添加高阻助剂的B胶膜表现出较高的交联度和体积电阻率，有效抑制了PID效应的发生；而添加离子捕捉剂的C胶膜则在长期耐老化性能和抗PID稳定性方面表现更为优异。 

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原文出处：EVA 胶膜改性对抗 PID 性能的影响；辽宁化工第53卷第6期