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"硅片材料检测
通过对硅片电学特性参数的精确评估和质量分选,是后期电池高效率的保障,减少浪费降低成本,从而提高整体产量。
少数载流子寿命反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度,即反映了光生载流子的利用程度。光生载流子被内建电场分离而进入n区和p区,为太阳电池的光电流和光电压做贡献。为提高太阳电池的转换效率,最好能监控每个主要工艺过程对少子寿命带来的影响,从而及时调整优化生产工艺,提高电池效率。
原硅片分选过程中使用高分辨率的成像系统,对电池片杂质及缺陷分布进行检测,对造成少子寿命降低的原因进行系统的分析,有效控制拉晶切片工艺质量。
光致发光成像技术:单晶晶圆PL成像
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前往产品中心HJT太阳能电池表面形貌测量
"清洗制绒
与常规太阳电池制造类似,异质结太阳电池制作时硅片衬底的湿化学处理要达到三个主要目的:
①去除硅片表面的污染和损伤层;
②形成特殊的表面形貌,如绒面,来减少光反射达到陷光的目的,同时减少界面复合损失;
③表面氧化层的去除和表面调控,以钝化湿化学处理诱导的界面态,即去损伤层、制绒和去除氧化层。
在制绒阶段,需要关心的一个问题是绒面金字塔大小。它不仅对光反射率相关,后续的非晶硅薄膜层的沉积也与它息息相关。
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前往产品中心"PECVD正反面a-si:H沉积
为制作异质结太阳电池器件,需要掺杂薄膜层来形成发射极和背表面场(BSF)。非晶硅薄膜(i-a-Si:H)对晶体硅表面的良好钝化作用,但电池的性能随本征层的厚度、沉积时掺杂气体浓度而改变。
由于PECVD的沉积功率和气压改变,会生成一系列的薄膜,为确保沉积的薄膜为非晶硅薄膜,必须对薄膜进行表征,拉曼光谱是一种重要的测试手段。
对于本征非晶硅层,需要薄膜中Si-H键含量高而Si-H,键含量低、薄膜结构致密,才能具有良好的钝化性能,从而获得高效的非晶硅/晶体硅异质结电池。另外,非晶硅的氢含量比微晶硅、纳米硅要高,也是其钝化效果优良的原因之一。
因此,精确控制a-Si:H层的沉积过程,实现高质量的表面钝化对制造高效、稳定的异质结太阳能电池至关重要。
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前往产品中心"正反面沉积TCO薄膜
由于非晶硅本身的导电性能有限,为了在异质结制作过程中更有效地收集载流子,电极与非晶硅层之间需要引入一层TCO(透明导电氧化物)薄膜。这层薄膜不仅具备光学透明性,还具备导电功能,对于提升载流子的收集效率至关重要。目前,HJT电池中TCO薄膜的沉积主要采用PVD(物理气相沉积)技术。通过优化TCO薄膜的掺杂比例、沉积技术和工艺参数,可以改善薄膜的透过率、禁带宽度、方块电阻、载流子浓度和迁移率等特性。这些特性的优化有助于提升异质结太阳能电池的短路电流、填充因子和最终的转换效率。
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前往产品中心丝网印刷电极
为了将产生的电流导出,需要在电池片表面制作正、负两个电极,与P-N结两端形成紧密欧姆接触的导电材料。目前行业内最常用的制备电极的方法为丝网印刷,使用丝网印刷的方式在电池正背面印刷银浆。
制备电极的基本要求是:
能与ITO薄膜形成良好的接触,接触电阻比较小,具有良好的导电性能,遮挡面积小,高电流收集效率等。
为改善电池的性能,可以从如下几个方面着手:
①制作较细的栅线电极,减少遮光面积,以改善电池的人;
②采用高质量、低电阻的栅线电极材料,以改善电池的FF;
③制作大高宽比的栅线电极,以改善电池的FF。
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前往产品中心成品电池测试
成品电池片的检测是电池片性能和可靠性的关键步骤。
通过电性能测试评估转换效率,量子效率测试不同波长的光转换,栅线抗拉伸和电池片抗弯曲强度,以及不良缺陷等等检测,有助于确保电池片在封装为光伏组件前是否符合规定,筛选出不符合规定的电池片以保障后期光伏组件的使用寿命期间保持高效和稳定发电,提升最终产品的质量。
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