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电池片PID测试仪|电势诱导衰减效应详解
日期:2024-04-22
随着可再生能源的发展,太阳能发电系统作为清洁能源的重要形式之一,受到了广泛关注。然而在实际运行中常常会受到PID效应(Potential Induced Degradation电势诱导衰减)的影响,导致功率衰减,效率下降,从而影响整个太阳能发电系统的性能。本文将围绕不同类型的PID机制而展开,并介绍电池片PID测试仪。
PID主要类型
P型电池的PID效应特点
P型双面双玻电池一般在正面发生PID-s,背面PID-p,可能发生PID-c衰减。
正面:Na+离子从玻璃出析出后由于P型电池上表面为P掺杂,带负电,因此Nat离子有趋势进一步向电池片内部迁移,易出现PID-s,相反由于N型电池的上表面为B掺杂,带正电,阻止了Na+离子的向内移动,因此N型电池正面不易形成PID-s;
背面:相较于P型单玻而言,背面由铝背场改为铝线,外电场驱使正电荷更易破坏氧化铝的场钝化作用因此更易出现 PID-p:此外,P型双玻的背面由于采用了 Ag/Al浆电极,相较正面对水汽、酸更敏感。
P型双面太阳能电池结构图
N型电池TOPCon的PID效应特点
TOPCon电池PID-s原理图
正面易发生PID-p,背面PID效应不明显。TOPCon电池的正面结构与P型双玻的背面结构类似,因此更易发生PID-p,同时正面采用Ag/AI浆电极对水汽和酸更敏感。TOPCon电池的背面与P型双玻的正面类似,由于钝化效果较好,不易产生PID-p。
TOPCon电池PID-c参数监控图
N型HJT电池的PID效应特点
双面易出现PID-c,HJT 是双面对称结构,是在N晶硅片的上下镀本征非晶硅,再镀非晶硅钝化层、ITO掺杂层做发电薄膜,从机理上没有PID-p的现象,但由于ITO为参杂的氧化铟锡导电膜材料,易产生因沉淀而出现PID-c,此外,HJT电池的非晶硅层和ITO对紫外光、水汽更敏感,并且由于其表面结构与晶硅电池片差别较大,与常规封装胶膜粘结力较弱。
HJT电池结构图
从上述分析中可知,无论n型或是p型组件产生PID效应的诱因都是一致的,仅在不同位面的PID类型有所区分,n型电池的电场相对p型电池更高,电荷集中对P-N结内建电场的影响更加明显。n型电池载流子表面负荷主要集中于电池正面,与p型电池P-N结方向相反,故PID衰减主要集中于电池正面,而正面是组件功率输出的主力,这就导致TOPCon电池的PID效应相比PERC电池更加明显。
电池片PID测试仪
介绍:
Freiberg instruments与Fraunhofer csp联合开发电池片PID测试仪,通过对电池片施加温度、光照和高电压,并在两个方向上极化后测量光照下的IV曲线,以确定PID敏感度,检验出上述PID机制。
满足标准:
根据IS09001制造,符合CE标准,IEC 62804-TS标准
特点:
•易于使用的台式设备,且无需环境箱
•测试时长:4小时;电压:±1.5kV
•PERC、AL-BSF、PERC+、双面PERC、PERT、PERL 和IBC电池的研究、生产和质量控制
•可测量参数:分流电阻、功率损失、电导率、泄漏电流、湿度和温度
•基于IP的系统,可以世界任何地方进行远程操作和技术支持
PID效应的出现可能太阳能发电系统的发电量快速降低(幅度甚至可达到50%),严重影响了系统的寿命和电站的正常收益,阻碍了光伏发电系统的快速应用,因此研究PID效应的产生和防治对光伏发电系统的发展具有十分重要的意义。电池片PID测试仪,快速检测决定电池片性能的重要参数,提前预测PID的影响,监测PID衰减和恢复过程。